Samsung/三星 MZ7KE1T0B/CN 850 EVO 1TB SSD固态硬盘

如今SATA3.0 SSD全面进入1TB时代，并且从2D闪存升级到3D闪存，其价格大幅下降。此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单的堆放密度极限；三星3D V-NAND技术使得在同样的平面内获得更多的存储空间。今天我们为大家介绍的三星850 EVO 1TB是首款采用3bit 3D V-NAND闪存的高性能大容量SSD。
三星850 EVO 1TB SSD

三星850 EVO 1TB SSD属于840 EVO的替代型号，他们的外观和风格基本一致，840 EVO主要在颜色上做了区别。它的真正变化来自内部，其闪存具有性变化。

三星850 EVO 1TB SSD

    这款固态硬盘的型号为MZ-75E1TB0，采用2.5英寸标准规格，容量为1TB，电流为1.4A，满载功耗大致在6-7瓦。

SSD接口特写

    三星850 EVO 1TB SSD从840 EVO系列的3bit MLC NAND闪存升级为3bit 3D V-NAND闪存，主控仍为成熟的MEX。它的传输接口为SATA3.0 6Gbps，往下兼容SATA2.5/2.0/1.0接口。
 3bit 3D V-NAND闪存长什么样？它和普通SSD所采用的2D闪存区别不大，但它的内部构造和普通2D平面闪存有着本质的不同。一块3bit 3D V-NAND闪存芯片由32个单层垂直堆叠而成，它并没有减少单层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更强。
 一款SSD的主控和闪存对性能起到决定性作用，下面我们拆解三星850 EVO 1TB SSD，对它的主控和闪存进行解析：

三星850 EVO 1TB SSD的PCB电路部分

▆主控：和840 EVO、850PRO一致

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

    三星850 EVO 1TB SSD采用840 EVO、850PRO的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，属于ARM架构的三核处理器，具备强悍的多任务、多路数据读写传输能力。

▆闪存：首款应用消费级SSD的3bit 3D V-NAND

3bit 3D V-NAND闪存

    3bit MLC闪存率先应用在前两代的三星840系SSD，而在3bit 3D V-NAND闪存，三星再次走在其他厂家前面，首次应用于850 EVO SSD。和采用2bit 3D V-NAND的85OPRO 1TB SSD不同，850 EVO 1TB SSD采用的8颗3D闪存均为同规格容量；而850PRO 1TB SSD的正反两面的闪存编号和容量不一。